Procédé de gravure en 22 nm

Premier transistor 3D au monde capable d'être fabriqué en grandes quantités.

3D, 22 nm : performances et rendement électrique garantis

En 2011, Intel s'est imposé comme référence du secteur avec le déploiement d'une technologie totalement novatrice pour les gammes de microprocesseurs : les transistors 3D gravés en 22 nm.

Auparavant, les transistors, au cœur des microprocesseurs, étaient des composants 2D (planaires). Le transistor 3D tri-gate Intel® et la capacité de le fabriquer en grandes quantités marquent un tournant révolutionnaire dans la structure de base des puces informatiques. L'entrée du canal du transistor dans la troisième dimension permet de mieux contrôler le transistor, en augmentant le flux de courant (pour améliorer les performances) lorsqu'il est activé et en diminuant le flux (pour réduire les fuites) lorsqu'il est désactivé.

Ces transistors ont permis à Intel de continuer à fabriquer des produits de premier ordre, qu'il s'agisse de supercalculateurs ou d'appareils portables mobiles ultra-compacts.

Les transistors sont essentiels

La taille et la structure d'un transistor constituent l'épicentre technologique des avantages de la loi de Moore pour l'utilisateur final. Généralement, plus le transistor est petit et puissant, plus les performances sont importantes. Intel continue, de façon prévisible, à fournir une technologie de gravure qui prend de moins en moins de place et collectionne les premières mondiales : 45 nm sur hafnium et sans plomb en 2007 ; 32 nm en 2009 ; et aujourd'hui 22 nm avec le premier transistor 3D mondial pouvant être fabriqué en grandes quantités, dont la procédure logique a commencé en 2011 ; et 14 nm avec les transistors 3D tri-gate de 2e génération en 2014.

Les évolutions constantes de la technologie de transistors permettent à Intel de concevoir des processeurs toujours plus puissants et incroyablement économes en énergie. Ces nouveaux processeurs permettent de développer des microarchitectures et des conceptions de système monopuce (SoC) innovantes, ainsi que de nouveaux produits : des serveurs aux ordinateurs, en passant par les smartphones et autres solutions grand public novatrices.

Découvrez comment Intel fabrique des puces 22 nm en silicium

Les transistors entrent dans la 3e dimension

Le transistor 3D tri-gate Intel utilise trois portes disposées autour d'un canal en silicium au sein d'une structure en 3D, offrant une combinaison inédite de performances élevées et de consommation énergétique ultra-faible. Intel a conçu ce transistor 3D tri-gate pour mettre sur pied des appareils portables économes en énergie, comme des smartphones et des tablettes, capables de fournir des performances de pointe dignes des solutions embarquant des processeurs haut de gamme.

En savoir plus sur la technologie de transistor 22 nm d'Intel ›

Processeur Intel® Core™ de 3e génération

Commercialisées fin 2011, les puces de la 3e génération de processeurs Intel® Core™ ont été les premières à être fabriquées en grandes quantités et à utiliser des transistors 3D.