Par exemple, si le VCCIO de la banque d’E/S de la broche DATA0 est de 3,3 V, les niveaux d’entrée Denst et Denst correspondants de la mémoire tampon d’entrée DATA0 sont similaires avec un tampon d’entrée LVTTL de 3,3 V. Il en va de même pour les autres valeurs VCCIO. Supposez que la banque d’E/S de la broche DATA0 est de 1,5 V, alors le tampon d’entrée DATA0 possède des niveaux de d’entrée Semblables à Ceux de Latst et de 2,5 LVTTL.
Environnement
Par exemple, si le VCCIO de la banque d’E/S de la broche DATA0 est de 3,3 V, les niveaux d’entrée Denst et Denst correspondants de la mémoire tampon d’entrée DATA0 sont similaires avec un tampon d’entrée LVTTL de 3,3 V. Il en va de même pour les autres valeurs VCCIO. Supposez que la banque d’E/S de la broche DATA0 est de 1,5 V, alors le tampon d’entrée DATA0 possède des niveaux de d’entrée Semblables à Ceux de Latst et de 2,5 LVTTL.