ID de l'article: 000078029 Type de contenu: Dépannage Dernière révision: 23/11/2014

Quelle est la différence entre le nombre de rangs par emplacement et le nombre de sélections de puces par périphérique/DIMM pour DDR3 RDIMM et LRDIMM ?

Environnement

    Édition d'abonnement Intel® Quartus® II
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Descriptif

Pour les RDIMM, un minimum de deux signaux CS (chip select) est nécessaire par RDIMM. Cela est nécessaire pour la programmation des périphériques de mémoire RDIMM. Une configuration RDIMM à un ou deux rangs nécessitera deux sélections de puces, tandis qu’une configuration RDIMM à quatre rangs nécessitera quatre sélections de puces.

Pour les LRDIMM, un minimum de deux sélections de puces est également nécessaire pour la programmation, mais il existe également un facteur de multiplication de grade (RM) à prendre en compte pour les LRDIMM. La multiplication des grades est un rapport programmable entre le nombre de grades physiques pour un LRDIMM et le nombre de grades logiques pour le contrôleur. Le nombre de échelons logiques indiqués par le contrôleur par emplacement est toujours de 2 pour les interfaces mémoire basées sur UniPHY, ce qui est le même que le nombre de rangs par emplacement. Le contrôleur mémoire uniPHY prend en charge le facteur de multiplication de grade nécessaire pour les LRDIMM en augmentant les bits d’adresse de ligne. Le nombre de puces sélectionnées par périphérique/DIMM est mis à jour en fonction du nombre de bits d’adresse de ligne supplémentaires.

Un LRDIMM avec 4 rangs physiques aura un RM = 2, et la sortie cs[2] de l’interface mémoire uniPHY sera logiquement pilotée par adresse[16].

Un LRDIMM avec 8 rangs physiques aura un RM = 4, et la sortie cs de l’interface mémoire uniPHY[3:2] sera logiquement pilotée par adresse[17:16].

Des diagrammes sont disponibles sur le wiki FPGA (communautés Intel) : IP DDR3 RDIMM &LRDIMM UniPHY.

Résolution

Utilisez les options suivantes lors du paramétrage de votre contrôleur mémoire.

Pour le format de mémoire RDIMM

Nombre d’emplacementsNombre de rangs par emplacementNombre de puces sélectionnées par périphérique/DIMM
Emplacement unique12
22
44
Double emplacement12
22

Pour le format de mémoire LRDIMM

Nombre d’emplacementsNombre de grades physiquesNombre de rangs par emplacementNombre de puces sélectionnées par périphérique/DIMMLargeur d’adresse de ligne
Emplacement unique42317
82418
Double emplacement42317
82418

La configuration à deux emplacements de l’interface du contrôleur mémoire UniPHY à un LRDIMM produira deux fois plus de ports sélectionnés par puce que celui d’une configuration à emplacement unique.

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