Altera® les modèles IBIS contiennent trois types de conditions permettant de représenter les performances d’E/S à travers les variations de processus, de tension et de température (PVT). Ces angles sont également appelés angles PVT. Cependant, les trois angles PVT ne représentent pas la gamme complète de performances pour chacun des échelons de vitesse des périphériques disponibles, au contraire, ils représentent la gamme complète de performances pour la famille d’appareils. Les trois conditions modelées dans IBIS sont les suivantes :
- Fast-Strong sont les meilleures conditions
- Silicium rapide
- Haute tension
- Basse température
- Les conditions nominales sont typiques
- Silicium typique
- Tension nominale
- Température de l’pièce
- Slow-Weak sont les pire conditions du cas
- Silicium lent
- Faible tension
- Températures élevées
À chaque niveau de vitesse, les processus varient également. Le modèle IBIS à forte vitesse représente le silicium le plus rapide possible, mais n’est pas complètement représentatif des performances des appareils à haut débit, car le modèle à forte vitesse ne montre pas les performances les plus lentes des appareils de classe vitesse rapide.
Pour les appareils à vitesse rapide et moyenne, vous ne pouvez pas balayer toutes les conditions de processus, de tension et de température avec les modèles IBIS. Les performances d’E/S dépendent de la vitesse de l’appareil. Votre conception peut utiliser un débit maximal dans un périphérique à vitesse rapide, puis trouver qu’il ne peut pas fonctionner à ce rythme lors de l’utilisation des conditions du modèle faiblement lents. Cela s’explique par le fait que le modèle lent faible possède le silicium le plus lent, qui ne s’applique pas à un périphérique de classe vitesse rapide. Vous ne devez donc pas utiliser le modèle lent faible pour simuler des performances d’E/S de périphérique à vitesse rapide.
Pour mieux déterminer les pire conditions pour un périphérique à vitesse rapide, vous pouvez utiliser le modèle type, car cela permettra de lier la variation de processus. Cependant, comme le modèle type est également à une tension nominale et une température nominale, cela ne représente pas le pire cas où l’appareil peut être exposé pendant son fonctionnement.
Lorsque vous simulez des périphériques à faible vitesse, vous devez utiliser les trois angles de modèle, car les appareils à faible vitesse peuvent utiliser du silicium qui fonctionne n’importe où dans les modèles rapides et lents. Ceci est semblable à l’analyse de synchronisation multi-coin, vous verrez une plus grande variation de performances avec des périphériques à vitesse lente qu’avec des périphériques à vitesse rapide.
Ces limitations doivent être prises en compte lors de la simulation avec des modèles IBIS.
Pour obtenir une représentation plus précise de l’impact des conditions environnementales sur les trois angles de processus, vous pouvez utiliser les modèles HSPICE et les outils de simulation appropriés. HSPICE vous permet de varier la tension et les conditions de température séparément pour chaque coin de processus.
Lorsque vous générez des modèles IBIS ou HSPICE dans le logiciel Quartus® II pour votre projet, les fichiers générés représentent l’utilisation des E/S dans votre conception. Les fichiers sont indépendants du niveau de vitesse de l’appareil et comprendront les angles PVT qui représentent toute la famille d’appareils sur toutes les échelles de vitesse.