Assistance

Mémoire système pour Carte mère Intel® D2550MUD2 pour PC de bureau


Dernière révision : 16-May-2017
ID de l'article : 000008166

Fonctionnalités de mémoire système
La carte propose deux sockets de mémoire DDR3 SO-DIMM 204 broches et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • Mémoire DDR3 SDRAM SO-DIMM avec des contacts plaqués or.
  • Barrettes DIMM sans tampon, single-sided ou double face
  • 4 Go de mémoire système maximale
  • Mémoire système minimum : 256 Mo
  • Barrettes DIMM non ECC
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR3 1066 MHz, mémoire DDR3 1333 MHz, mémoire DDR3 1600 MHz SO-DIMM (mémoire DDR3 1333 MHz et mémoire DDR3 1600 MHz, mémoire s’exécute à 1066 MHz)

En raison de contraintes thermiques à refroidissement passif, mémoire vive doit posséder un score de température de fonctionnement de 85 ° C. La carte est conçue pour être passif dans un châssis correctement ventilé. Nous vous recommandons d’emplacements de ventilation du châssis au-dessus de la zone de mémoire système pour la dissipation thermique maximale.

Si vous effectuez l’installation qu’une seule SO-DIMM, il doit être installé dans le socket bas (SO-DIMM (1).

Pour être conforme aux spécifications de mémoire SDRAM DDR3, remplissez la carte mère avec barrettes SO-DIMM que prise en charge de la présence de série détecte la structure de données (SPD). Le BIOS peut ensuite lire les données SPD et programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, performances et la fiabilité peuvent être affectés ou le SODIMM peut ne pas fonctionne dans le cadre de la fréquence déterminée.

Configurations des DIMM gérées
Configurations de mémoire système sont basées sur la disponibilité et sont sujets à modification. Assistance pour un 4 Go SO-DIMM installée dans l’emplacement 1. Slot 0 doit être laissé vide.

 
Version de la carte brutesCapacité de SO-DIMMTechnologie de périphérique DRAMOrganisation de la mémoire DRAMNb. de périphérique DRAM
B1 GO1 Go128 Mo x 88
2 GO2 Go256 Mo x 88
F2 GO1 Go128 Mo x 816
4 Go,12 Go256 Mo x 816
 

Mémoire testée

Ordinateur Memory Test Labs * (CMTL). les tests de mémoire de fournisseurs tiers pour la compatibilité avec Intel® mères comme demandé par les fabricants de mémoire. Voir ce laboratoire Advanced liste des mémoires testées* pour cette carte mère Intel®.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les tests pendant le développement. Numéros de pièce ne soient pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

 
Fabricant du moduleNuméro de référence de moduleTaille du moduleVitesse de moduleECC ou Non-ECCFabricant du composantNuméro de référence de composant
ELPIDAEBJ21UE8BAU0-AE-E2 GO1066 MHzNon-ECCELPIDAEBJ21UE8BAU0-AE-E
EBJ21UE8BAU0-DJ-E2 GO1 333 MHzNon-ECCELPIDAEBJ21UE8BAU0-DJ-E
HynixHMT125S6TFR8C-G7N02 GO1066 MHzNon-ECCHynixHMT125S6TFR8C-G7N0
HMT125S6BFR8C-H9N02 GO1 333 MHzNon-ECCHynixHMT125S6BFR8C-H9N0
MicronMT8JSF12864HZ-1G4F11 GO1 333 MHzNon-ECCMicronMT8JSF12864HZ-1G4F1
MT16JSF25664HY-1G1D12 GO1066 MHzNon-ECCMicronMT16JSF25664HY-1G1D1
MT8J25664HZ-1G4D12 GO1 333 MHzNon-ECCMicronMT8J25664HZ-1G4D1
SamsungM471B2873FHS-CF81 GO1066 MHzNon-ECCSamsungM471B2873FHS-CF8
M471B2873EH1-CH91 GO1 333 MHzNon-ECCSamsungM471B2873EH1-CH9
M471B5673EH1-CF82 GO1066 MHzNon-ECCSamsungM471B5673EH1-CF8
M471B5773CHS-CH92 GO1 333 MHzNon-ECCSamsungM471B5773CHS-CH9
 

- Ces informations, traduites en français, sont le résultat d'une association de traductions humaines et électroniques du contenu originel et vous sont fournies à titre de commodité. Ce contenu vous est fourni à titre informatif seulement et ne saurait être totalement exact ou complet.

Cet article concerne :

Discontinued Products