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Mémoire système pour Carte mère Intel® DH61AG pour PC de bureau


Dernière révision : 25-Apr-2017
ID de l'article : 000007648

Contenu
Fonctionnalités de mémoire système
Configurations des DIMM gérées
Mémoire testée

Fonctionnalités de mémoire système

La carte possède deux emplacements SO-DIMM de 204 broches et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • 1,5 v DDR3 SDRAM SO-DIMM avec des contacts plaqués or.
  • Assistance de 1,35 v à faible tension de mémoire DDR3 (nouvelle spécification JEDEC)
  • Deux canaux de mémoire indépendants avec prise en charge du mode entrelacé
  • SO-DIMM sans tampon, single-sided ou double face
  • 16 Go de mémoire vive totale ne dépasse (grâce à la technologie de mémoire de 4 Go)
  • Mémoire minimale : 1024 Mo
  • SO-DIMM non ECC
  • Détection de la présence de série
  • Prise en charge des profils XMP pour la détection de la tension
  • Mémoire DDR3 1333 MHz et mémoire DDR3 à 1066 MHz de type SDRAM SO-DIMM

Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR, la carte doit être remplie avec barrettes SO-DIMM que prise en charge de la présence de série détecte la structure de données (SPD). Ainsi, le BIOS pour lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS essaie de configurer les paramètres de mémoire, mais performances et la fiabilité peuvent être affectés ou les barrettes SO-DIMM ne fonctionnent pas dans le cadre de la fréquence déterminée.

1,5 v est conseillés et la valeur par défaut de la tension de mémoire DDR3. Les autres paramètres de tension de mémoire dans le programme de configuration du BIOS sont fournis qu’à des performances optimisation. La modification de la tension peut (i) réduire la stabilité du système et la durée de vie utile du système, de la mémoire et du processeur ; (ii) entraîner un dysfonctionnement du processeur ou autres composants système ; (iii) nuire aux performances du système ; (iv) entraîner une surchauffe ou autres dommages ; et l’intégrité des données du système (v) affecter.

Intel n’a pas testé et ne garantit pas le fonctionnement du processeur au-delà de ses spécifications. Pour plus d’informations sur la garantie du processeur, reportez-vous à Informations sur la garantie de processeur.

Configurations des DIMM gérées

 
Version de la carte brutesCapacité de SO-DIMMTechnologie de périphérique DRAMOrganisation de la mémoire DRAMNb. de périphérique DRAM
A1 GO1 Go64 Mo x 168
2 GO2 Go128 Mo x 168
B1 GO1 Go128 Mo x 88
2 GO2 Go256 Mo x 88
C512 MO1 Go64 Mo x 164
1 GO2 Go128 Mo x 164
F2 GO1 Go128 Mo x 816
4 GO2 Go256 Mo x 816
8 GO4 Go512 Mo x 816
 

Mémoire testée

Ordinateur Memory Test Labs * (CMTL). les tests de mémoire de fournisseurs tiers pour la compatibilité avec Intel® mères comme demandé par les fabricants de mémoire. Consultez le ce laboratoire testé la liste des mémoires* pour cette carte mère Intel®.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les tests pendant le développement. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

 
Fabricant du moduleNuméro de référence de moduleTaille du moduleVitesse du module (MHz)
ElpidaEBJ21UE8BDS0 / DJ / F/52 GO1333
ElpidaEBJ10UE8BDS0-DJ1 GO1333
HynixHMT112S6TFR8C-H9/571 GO1333
Hynix204P HMT351S6BFR8C-H9/574 GO1333
HynixHMT125S6TFR8C-H92 GO1333
KingstonHP572293-C01-ELDWG2 GO1333
KingstonKHX1600C9S3P1K2/8 GO4 GO1600
MicronMT16JTF25664HZ-1G4G2 GO1333
MicronMT8JTF12864HZ1 GO1333
QimondaMT16JSF51264HZ-1G4D14 GO1333
SamsungM471B2873GB0-CH9/571 GO1333
SamsungM471B5273DH04 GO1333
SamsungM471B5673GB02 GO1333
SamsungSM471B2873GB0-CK0GO S1S1600
SamsungSM471B5773DH0-CK0S2 GOS1600
SanmaxSMD-N2G88H3P2 GO1066
SanmaxSMD-N4G68HP4 GO1066
 

- Ces informations, traduites en français, sont le résultat d'une association de traductions humaines et électroniques du contenu originel et vous sont fournies à titre de commodité. Ce contenu vous est fourni à titre informatif seulement et ne saurait être totalement exact ou complet.