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Mémoire système pour la Carte mère Intel® D915GAV pour PC de bureau


Dernière révision : 25-Apr-2017
ID de l'article : 000006783

Fonctionnalités de mémoire système
Les cartes mères ont quatre baies pour barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • 2.6V (uniquement) DDR type SDRAM DIMM avec des contacts plaqués or.
  • Ou sans tampon, recto verso DIMM avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec x16 organisation ne sont pas pris en charge
  • 4 Go de mémoire vive totale ne dépasse
  • Mémoire minimum : 128 Mo
  • Barrettes DIMM non ECC
  • Serial Presence Detect
  • Mémoire DDR 400 MHz et les barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR 333 MHz
Notes
  • Retirez la carte vidéo PCI Express * x16 avant d’installer ou mettre à niveau de la mémoire pour éviter les interférences avec le système de fixation.
  • Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR, la carte doit avoir DIMM prenant en charge de la structure de données de détection de présence série (SPD). Ainsi, le BIOS pour lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS essaie de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais des performances et la fiabilité peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne pas fonctionnent dans le cadre de la fréquence désignée.
 

Prise en charge du bus principal et les combinaisons de vitesse de mémoire

Pour utiliser ce type de module DIMM :Le système de processeur la fréquence du Bus doit être :
DDR400800 MHz
DDR333(note)533 ou 800 MHz
 

 

 

RemarqueLorsque vous utilisez un processeur 800 MHz system Bus fréquence, la mémoire DDR 333 est entrée à 320 MHz. Cela minimise les latences pour optimiser le débit du système.
 

Configurations des DIMM gérées

Capacité DIMMConfigurationDensité SDRAMOrganisation de type SDRAM
Côté/arrière-principal
Nombre de
Périphériques de type SDRAM
128 MOSS256 MbitM 16 x 16/vide4
256 MOSS256 MbitM x 8 32/vide8
256 MOSS512 Mbit32 Mo x 16/vide4
512 MOSERVICE D’ANNUAIRE256 Mbit32 Mo x 8 et 32 Mo x 816
512 MOSS512 Mbit64 Mo x 8/vide8
512 MOSS1 GB64 Mo x 16/vide4
1024 MOSERVICE D’ANNUAIRE512 Mbit64 Mo x 8/64 M x 816
1024 MOSS1 GB128 Mo x 8/vide8
2 048 MO.SERVICE D’ANNUAIRE1 GB128 Mo x 8/128 Mo x 816
 

 

 

RemarqueDans la deuxième colonne « DS » signifie les modules mémoire recto-verso (deux lignes de type SDRAM) et « SS » signifie les modules mémoire empilables (une ligne de type SDRAM).
 

Mémoire testée

Mémoire testée de tiers*
Un tiers des mémoires testées se produit en question par les fournisseurs de mémoire et tester à une maison de mémoire indépendants qui ne fait pas partie d’Intel. Mémoire testée est par ordinateur Memory Test Labs * (CMTL).

Fournisseur mémoire testée par
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme un plan de test commun à utiliser comme le contrôle de la stabilité de la mémoire de base. Mémoires mentionnées est testée par le fabricant ou par Intel à l’aide de ce plan de test. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l’aide du programme d’auto-test Intel pour Intel® pour PC de bureau carte mère D915GAV.

Fournisseur de module
Numéro de référence de module
Taille du module
(MO)
Vitesse de module
(MHz)
Temps de latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
DIMM
Virtualisation constituées
Module
Code de date
Composant utilisé
Numéro de référence comp
A-DONNÉES *
MDOEL6F3G31Y0D1E0Z
256 MO4003-4-4Non-ECCSSx80527Elpida *
DDR-DD2508ARTA
A-DATA
MDOHY6F3G3X10BZE0Z
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx8510AHynix *
DDR-HY5DU56822DT-D43
Infineon Technologies *
HYS64D128320HU-5-B
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx80445Infineon Technologies
HYB25D512800BE-5
Infineon Technologies
HYS64D64320HU-5-C
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80436Infineon Technologies
HYB25D512800CE-5
Infineon Technologies
HYS64D32300HU-5-C
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80432Infineon Technologies
HYB25D512800CE-5
Kingston Technology *
KVR400X64C3A / 1G
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx80518Infineon
HYB25D512800BE-5
Kingston Technology
KVR400X64C3A / 1G
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx8449Samsung *
K4H510838B-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80518Micron *
MT46V64M8-5 B
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80000Samsung *
K4H560838F-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/256
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80000Promotions *
V58C2256804SCT5B
Micron *
MT16VDDT12864AY-40BD3
1024 MO4003-3-3Non-ECCDSx80528Micron
MT46V64M8P
Micron
MT16VDDF6464AY-40BG1
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80540Micron
MT46V32M8BG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD1
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80534Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG6
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80536Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AY-40BG6
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80534Micron
MT46V32M8P
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG4
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80508Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG5
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80535Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD3
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80523Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AY-40BD3
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80534Micron
MT46V64M8P
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG6
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80536Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG5
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80533Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDF3264AY-40BG1
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80540Micron
MT46V32M8BG
Samsung *
M368L2923DUN-CCC
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx80540Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L2923CUN-CCC
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx80509Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L6523DUD-CCC
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80549Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L6423ETN-CCC
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80509Samsung
K4H560838E-TCCC
Samsung
M368L6423FTN-CCC
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80506Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L6523CUS-CCC
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80503Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L3223FTN-CCC
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80506Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L3324CUS-CCC
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx160506Samsung
K4H511638C-UCCC
Samsung
M368L3223ETN-CCC
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80506Samsung
K4H560838E-TCCC
Infineon Technologies
HYS64D128320HU-6-B
1 GO3332.5-3-3Non-ECCDSx80434Infineon Technologies
HYB25D512800BE-6
Infineon Technologies
HYS64D64320HU-6-C
512 MO3332.5-3-3Non-ECCDSx80436Infineon Technologies
HYB25D512800CE-6
Infineon Technologies
HYS64D32300HU-6-C
256 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80436Infineon Technologies
HYB25D512800CE-6
Micron
MT16VDDT12864AG 335D 1
1024 MO3332.5-3-3Non-ECCDSx80537Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 3
512 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80513Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 2
512 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80505Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG 335D 1
512 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80450Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG - 335G 4
512 MO3332.5-3-3Non-ECCDSx80408Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 33G 4
256 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80540Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 335G 4
256 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80450Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 335G 6
256 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80513Micron
MT46V32M8TG
Samsung
CB3-M368L5623MTN
2 GO3332.5-3-3Non-ECCDSx80508Samsung
K4H1G0838M-TCB3

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