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Mémoire système pour la Carte mère Intel® DG33BU pour PC de bureau


Dernière révision : 26-Apr-2017
ID de l'article : 000006776

Mise à jour : Septembre 2008

Fonctionnalités de mémoire système
La carte propose 4 baies DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • 1,8 V (uniq.) DDR2 type SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
  • Barrettes DIMM sans tampon, simples ou empilables avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec x16 organisation ne sont pas pris en charge
  • 8 Go de mémoire vive totale ne dépasse à l’aide de la mémoire vive DDR2 667 ou barrettes DIMM de mémoire vive DDR2 800
  • Mémoire minimum : 512 Mo
  • Barrettes DIMM non ECC
  • Serial Presence Detect
  • Mémoire vive DDR2 800 ou DIMM de mémoire SDRAM DDR2 667 MHz
  • DDR2 667 SIMM car les latences sont SPD de seuls 5-5-5 (tCL-tRCD-tRP)
  • Mémoire vive DDR2 800 SIMM car les latences sont SPD de 5-5-5 ou 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP)
RemarqueUn minimum de 512 Mo de mémoire vive est nécessaire pour activer pleinement la le cœur graphique intégré et du moteur de gérabilité.
 
RemarquePour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR, la carte doit être équipée de barrettes DIMM qui prennent en charge de la structure de données de détection de présence série (SPD). Ainsi, le BIOS pour lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS essaie de configurer les paramètres de mémoire, mais performances et la fiabilité peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne fonctionner qu’à une fréquence.
 

Configurations des DIMM gérées
Le tableau suivant énumère les configurations DIMM prises en charge :

Type de module DIMMTechnologie de type SDRAMPlus petit utilisable DIMM (x16 un seul DIMM Single-sided)DIMM utilisable plus grand (x8 une seule barrette DIMM empilable)Capacité maximale avec x8 identiques quatre barrettes DIMM double face
DDR2 667 MHZ512 Mbit256 MO1 GO4 GO
DDR2 667 MHZ1 GB512 MO2 GO8 GO
MÉMOIRE VIVE DDR2 800512 Mbit256 MO1 GO4 GO
MÉMOIRE VIVE DDR2 8001 GB512 MO2 GO8 GO
 

Mémoire testée

mémoire testée de 3e partie*
3e mémoire testées se produit en question par les fournisseurs de mémoire et tester à une maison de mémoire indépendants qui ne fait pas partie d’Intel - ordinateur Memory Test Labs (CMTL).

Fournisseur mémoire testée par
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme un plan de test commun à utiliser comme le contrôle de la stabilité de la mémoire de base. Mémoires mentionnées a été testées par le fabricant ou par Intel à l’aide de ce plan de test. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l’aide du programme d’auto-test d’Intel pour Intel® pour PC de bureau carte mère DG33BU.

Fournisseur de module / référence de ModuleTaille du moduleModule fréquence (Mhz)Latence CL-tRCD-tRPECC ou Non-ECC ?Organisation des DIMMCode du module DateComposant utilisé / Comp le numéro de référence
Crucial * CT12864AA667.8FE1 GO6675-5-5Non-ECCSSx80650Micron * MT47H128M8HQ
CT12864AA800.8FE essentielles1 GO8006-6-6Non-ECCSSx80808Micron MT47H128M8HQ
CT6464AA667.4FE essentielles512 MO6675-5-5Non-ECCSSx160708Micron MT47H64M16HR
AA HYMP564U64AP8-S5 Hynix *512 MO8005-5-5Non-ECCSSx80535Hynix HYY5PS12821A
Hynix HYMP564U64AP8-S5 AA512 MO8005-5-5Non-ECCSSx80535Hynix HYY5PS12821A
Kingston * KVR667D2N5 / 1G1 GO6675-5-5Non-ECCDSx80806Kingston D6408TR7CGL3U
Kingston KVR800D2N5 / 1G1 GO8005-5-5Non-ECCDSx80806Kingston D6408TR4CGL25U
Micron MT16HTF25664AY-800E12 Go8005-5-5Non-ECCDSx80716Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF12864AY-667B31 GO6675-5-5Non-ECCDSx80528Micron MT47H64M8CB
Micron MT16HTF12864AY-80ED41 GO8005-5-5Non-ECCDSx80609Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF12864AY-80ED41 GO8005-5-5Non-ECCDSx80609Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF12864AY-667A31 GO6675-5-5Non-ECCSSx80532Micron MT47H128M8BT
Micron MT8HTF12864AY-667A31 GO6675-5-5Non-ECCSSx80532Micron MT47H128M8BT
Micron MT8HTF12864AY-667E11 GO6675-5-5Non-ECCSSx80650Micron MT47H128M8HQ
Micron MT8HTF12864AY-800E11 GO8006-6-6Non-ECCSSx80808Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF12864AY-667B31 GO6675-5-5Non-ECCDSx80528Micron MT47H64M8CB
Micron MT16HTF25664AY-800E12 GO8005-5-5Non-ECCDSx80716Micron MT47H128M8HQ
Micron MT4HTF3264AY-667B1256 MO6675-5-5Non-ECCSSx160527Micron MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY-667B1256 MO6675-5-5Non-ECCSSx160527Micron MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY - 800D 3256 MO8006-6-6Non-ECCSSx160632Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-80ED3256 MO8005-5-5Non-ECCSSx160617Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-80ED3256 MO8005-5-5Non-ECCSSx160617Micron MT47H32M16BN
Micron MT8HTF6464AY-667B3512 MO6675-5-5Non-ECCSSx80531Micron MT47H64M8CB
Micron MT8HTF6464AY-667B3512 MO6675-5-5Non-ECCSSx80531Micron MT47H64M8CB
Micron MT8HTF6464AY-80ED4512 MO8005-5-5Non-ECCSSx80610Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-80ED4512 MO8005-5-5Non-ECCSSx80610Micron MT47H64M8B6
Micron MT4HTF6464AY-667E1512 MO6675-5-5Non-ECCSSx160708Micron MT47H64M16HR
Micron MT4HTF6464AY-667E1512 MO6675-5-5Non-ECCSSx160708Micron MT47H64M16HR
Samsung * M378T2953CZ3-CE61 GO6675-5-5Non-ECCDSx80518Samsung K4T51083QC
Samsung M378T2953CZ3-CE71 GO8005-5-5Non-ECCDSx80548Samsung K4T51083QC
Samsung M378T2953CZ3-CE71 GO8005-5-5Non-ECCDSx80548Samsung K4T51083QC
Samsung M378T2953CZ3-CE61 GO6675-5-5Non-ECCDSx80518Samsung K4T51083QC
Samsung M378T3354CZ3-CE6256 MO6675-5-5Non-ECCSSx160522Samsung K4T51163QC
Samsung M378T3354CZ3-CE6256 MO6675-5-5Non-ECCSSx160522Samsung K4T51163QC-
Samsung M378T6553CZ3-CE6512 MO6675-5-5Non-ECCSSx80525Samsung K4T51083QC
Samsung M378T6553CZ3-CE6512 MO6675-5-5Non-ECCSSx80525Samsung K4T51083QC
Samsung M378T6553CZ3-CE7512 MO8005-5-5Non-ECCSSx80548Samsung K4T51083QC
Samsung M378T6553CZ3-CE7512 MO8005-5-5Non-ECCSSx80548Samsung K4T51083QC
 

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