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Mémoire système pour la Carte mère Intel® D945GCNL pour PC de bureau


Dernière révision : 26-Apr-2017
ID de l'article : 000006603

Fonctionnalités de mémoire système
La carte possède deux emplacements pour barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • 1,8 v (uniquement) DDR2 type SDRAM DIMM avec des contacts plaqués or.
  • Barrettes DIMM sans tampon, single-sided ou empilables avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec x16 organisation ne sont pas pris en charge
  • 2 Go de mémoire vive totale ne dépasse
  • Mémoire minimum : 128 Mo
  • Barrettes DIMM non ECC
  • Serial Presence Detect
  • DDR2 667 MHz, mémoire DDR2 533 ou barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR2 400 MHz
Notes
  • Supprimer l’interface PCI Express x16 vidéo carte avant d’installer ou mettre à niveau de la mémoire pour éviter les interférences avec le système de fixation.
  • Quel que soit le type de module DIMM utilisé, la fréquence mémoire est égale ou inférieure à la fréquence du Bus du système processeur. Par exemple, si la mémoire DDR2 533 est utilisé avec un processeur 800 MHz system Bus fréquence, la mémoire fonctionne à 533 MHz.
  • Pour être entièrement conforme aux spécifications Intel® SDRAM, la carte doit avoir DIMM prenant en charge de la structure de données de détection de présence série (SPD). Si vos modules mémoire ne prennent pas en charge SPD, une notification s’affiche sur l’écran à la puissance des. Le BIOS essaie de configurer le contrôleur de mémoire pour un fonctionnement normal.
 

Configurations des DIMM gérées
Le tableau suivant énumère les configurations DIMM prises en charge.

Capacité DIMMConfigurationDensité SDRAMOrganisation de type SDRAM avant/arrièreNombre de périphériques de type SDRAM
128 MOSS256 MbitM 16 x 16/vide 44
256 MOSS256 MbitM x 8 32/vide 88
256 MOSS512 Mbit32 Mo x 16/vide 44
512 MOSERVICE D’ANNUAIRE256 Mbit32 Mo x 8 et 32 Mo x 16 816
512 MOSS512 Mbit64 Mo x 8/vide 88
512 MOSS1 GB64 Mo x 16/vide 44
1024 MOSERVICE D’ANNUAIRE512 Mbit64 Mo x 8/64 Mo x 16 816
1024 MOSS1 GB128 Mo x 8/vide 88
 
RemarqueDans la deuxième colonne « DS » signifie les modules mémoire recto-verso (deux lignes de type SDRAM). « SS » signifie les modules mémoire empilables (une ligne de type SDRAM).
 

Mémoire testée

mémoire testée de 3e partie*
3e mémoire testées se produit en question par les fournisseurs de mémoire et tester à une maison de mémoire indépendants qui ne fait pas partie d’Intel - ordinateur Memory Test Labs (CMTL).

Fournisseur mémoire testée par
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme un plan de test commun à utiliser comme le contrôle de la stabilité de la mémoire de base. Mémoires mentionnées ont réalisé des tests par le fabricant ou par Intel à l’aide de ce plan de test. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l’aide du programme d’auto-test Intel pour le D945GCNL de carte mère Intel® pour PC de bureau.

Numéro de référence du fournisseur et le Module moduleTaille du moduleModule fréquence (MHz) 1Latence CL-tRCD-tRPECC ou Non-ECC ?Organisation des DIMMCode du module DateNuméro de référence utilisé/Comp composant
VS256MB667D2 Corsair *256 MO667 Non-ECC   
ELPIDA * EBE11UD8AEFA-6E-E1 GO6675/5/5Non-ECCDSX8514ELPIDA E5108AE-6E-E
Hynix * HYMP512U64CP8-Y5-AB1 GO6675/5/5Non-ECCDSX8649Hynix HY5PS12821CFP-Y5
Hynix HYMP532U64CP6256 MO6675/5/5Non-ECCSSX8626Hynix HY5PS121621CFP-Y5
Hynix HYMP564U64BP8-S6 AB512 MO667 Non-ECC   
Hynix HYMP564U64P8-E3512 MO4003/3/3Non-ECCSSX8505Hynix HY5PS12821FP-E3
Infineon * HYS64T32000HU-2,5-B256 MO8006/6/6Non-ECC   
Infineon HYS64T32000HU-3-B256 MO6675/5/5Non-ECCSSX16540QIMONDA * HYB18T512160BF-3
Infineon HYS64T3200HU-3.7-A256 MO5334/4/4Non-ECCSSX16526Infineon HY18T512160AF-3.7
Infineon HYS64T6400HU-2.5B512 MO8006/6/6Non-ECCSSX8646QIMONDA HYB18T5128008F-25
Kingston * KVR667D2N5256 MO6675/5/5Non-ECC   
Micron * MT4HTF3264AY-53EB1256 MO5334/4/4Non-ECCSSX16524Micron MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY - 800D 3256 MO8006/6/6Non-ECCSSX16646Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF5264AY-667B2256 MO667 Non-ECC   
NANYA * NT1GT64U8HB0BY - 25D1 GO8006/6/6Non-ECCDSX8703NANYA NTSTU66M88E - 25D
NANYA NT512T64U88B0BY - 25D512 MO8006/6/6Non-ECCSSX8626NANYA NTSTU66M88E - 25D
PSD21G6672 Patriot *1 GO6675/5/5Non-ECCDSX8446Micron MT47H64M8BT-3
PSC * AL6E8E63B-8E1K512 MO800 Non-ECC   
RAMAXEL * RML1520HB38D6F 667 MHZ512 MO667 Non-ECC   
Samsung * KRM378T2953CZ0-CE61 GO6675/5/5Non-ECCDSX8552Samsung K4T51083QC
Samsung M378T6453FGO-CD5512 MO5334/4/4Non-ECCDSX8422Samsung K4T56083QF-GC05
Samsung M378T6553CZ3-CF7512 MO8006/6/6Non-ECCSSX8641Samsung K4T51083QC-ZCF7
PUCE * TB4D2667C58D1 GO667 Non-ECC   
Super Talent * T800UB1GC41 GO800 Non-ECC   
 

1 mémoire à 800 MHz fonctionne à 667 MHz.

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