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Mémoire système pour la Carte mère Intel® DQ45CB pour PC de bureau


Dernière révision : 26-Apr-2017
ID de l'article : 000006470

Contenu

Fonctionnalités de mémoire système
La carte propose quatre baies pour barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • 1,8 V DDR2 type SDRAM DIMM avec des contacts plaqués or, avec la possibilité d’augmenter la tension pour prendre en charge des barrettes DIMM de mémoire DDR2 type SDRAM des performances supérieures
  • Mémoire vive imbriquée prise en charge du mode
  • Barrettes DIMM sans tampon, simples ou empilables avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec x16 organisation ne sont pas pris en charge
  • 16 Go de mémoire vive totale ne dépasse à l’aide de la mémoire vive DDR2 800 MHz ou DDR2 667 MHz DIMMs
  • Minimum recommandée mémoire : 512 Mo
  • Barrettes DIMM non ECC
  • Serial Presence Detect
  • Mémoire DDR2 à 800 ou DIMM de mémoire SDRAM DDR2 667 MHz
  • DDR2 667 MHz DIMMs car les latences sont SPD de seuls 5-5-5 (tCL-tRCD-tRP)
  • DDR2 800 MHz DIMMs car les latences sont SPD de 5-5-5 ou 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP)

Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR, la carte doit être équipée de barrettes DIMM qui prennent en charge de la structure de données de détection de présence série (SPD). Ainsi, le BIOS pour lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS essaie de configurer les paramètres de mémoire, mais performances et la fiabilité peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne fonctionner qu’à une fréquence.

Ressources système et matériel (telles que PCI Express *) occupent des adresses mémoires physiques, ce qui peut réduire la mémoire vive adressable. Cette situation peut entraîner une réduction de jusqu'à 1 Go ou plus de mémoire adressable physique disponible pour le système d’exploitation et les applications, en fonction de la configuration du système et le système d’exploitation.

Configurations des DIMM gérées

Type de module DIMMTechnologie de type SDRAMPlus petit utilisable DIMM (x16 un seul DIMM empilables)DIMM utilisable plus grand (x8 une seule barrette DIMM empilable)Capacité maximale avec x8 identiques quatre barrettes DIMM double face
DDR2 667 MHZ512 Mbit256 MO1 GO4 GO
DDR2 667 MHZ1 GB512 MO2 GO8 GO
DDR2 667 MHZ2 Gb1 GO4 GO16 GO
MÉMOIRE VIVE DDR2 800512 Mbit256 MO1 GO4 GO
MÉMOIRE VIVE DDR2 8001 GB512 MO2 GO8 GO
MÉMOIRE VIVE DDR2 8002 Gb1 GO4 GO16 GO
 

Mémoire testée
Ordinateur Memory Test Labs * (CMTL). les tests de mémoire de fournisseurs tiers pour la compatibilité avec les cartes mères Intel que demandé par les fabricants de mémoire. Consultez le ce laboratoire testé la liste des mémoires* pour cette carte mère Intel®.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les tests pendant le développement. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Fournisseur de module / référence de ModuleTaille du moduleModule fréquence (Mhz)Latence CL-tRCD-tRPECC ou Non-ECCOrganisation des DIMMCode du module DateComposant utilisé / Comp le numéro de référence
A les données ont * M2GVD6G3H31P0I1E53512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 N/A
A les données ont M2OAD6G3H3160I1E53512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 N/A
AENEON * AET760UD00-25DC08X1 GO8005-5-5Non-ECCSS x 80720AENEON AET03R250 C
AHU512E800C5K1C Apacer *512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80711N/A
Apacer AU512E800C5KBGC512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 Apacer AM4B5708HEWS8E
APOGEE * AU51082-667P000CL5512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80714APOGEE WA51082B-3 B
ELPIDA * EB51UD8AJWA-6E-E512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80720ELPIDA E5108AJBG-6E-E
FOXCONN * X289-E63HU-0AB1R512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80715FOXCONN 026Y-6769-A
Infineon * HYS64T64000HU-3-A512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80801Infineon HYB181512 800AF3S
Jieyuan * PC5300U-50550 6030701-3512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80706KT1286675413 VT *
KINGMAX * KLDC28F-A8KB5512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 KINGMAX KKABFFBXF
Kingston * 9905315-019.A02LF KVR800D2N5/512512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80718Kingston E5108AHBG-8i-E
Kingston KVR800D2N5/512512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80710NANYA NT5TU64M8BE - 25C
Kingston KVR800D2N6 / 1G1 GO8006-6-6Non-ECCSS x 160838Elpida E1108AGBG-8i-E
Kingston KVR800D2N5/512512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80623V59C1512804QBF25 Mosel *
Kingston KVR800D2N6K2/8 Go4 GO8006-6-6Non-ECCx8 Elpida E2108ABSE-8G-E
NANYA * NT512T64U88B0BY - 25C512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80550NANYA NT5TU64M8BE - 25C
NANYA NT512T64U88B0BY - 25D512 MO8006-6-6Non-ECCSS x 80723NANYA NT5TU64M8BE - 25D
NANYA NT512T64U88B0BY - 3C512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80550NANYA NT5TU64M8BE - 3C
OXCCO * X269-E63GU-0AB1R512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 806500169-6255
OXCCO X269-E63GU-0AB1R512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80715FOXCONN 016Z-6162-A
Qimonda * HYS64T6400EU-25F-B2512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80715Qimonda HYB18T512800B2F25F
Qimonda HYS64T6400HU-2,5-B512 MO8006-6-6Non-ECCSS x 80647Qimonda HYB18T512
Ramaxel * RML1650EG38D6W 667 MHz512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 8 ELPIDA E5108AGBG-6E-E
SAMSUNG * M378T6553EZS-CE7512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80726SAMSUNG K4T51083QE
SIS * SLX264M8-J6E-2512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 8 SIS DDRII6408-6E-7124
SIS SLX264M8-JGE512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 SIS DDRII6408-GE 7506
SIS SLX264M8-JGE-3512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 SIS DDRII6408-8I-7212
Équipe * TVDD512M667512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80709Équipe T2D648PT-6
Transcend *512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80727ELPIDA E5108AG-6E-E
Transcend TS64MLQ64V6J512 MO6675-5-5Non-ECCSS x 80632Mosel V59C1512804QAF3
Transcend TS64MLQ64V8J512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80633Mosel V59C1512804QBF25
8D25JK-TT 8DP25JK5MTETP TwinMOS *512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 80713TwinMOS TMM6208G8M25C
V-M2GVD6G3H3160I1E53 DONNÉES *512 MO8005-5-5Non-ECCSS x 8 V-DONNÉES VD29608A8A-25EG
GDE4GB28L300C5 Winchip *4 GO6675-5-5Non-ECCx8 Winchip AEC2560KQ-30
 

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