Procédé de gravure en 14 nm

La technologie de gravure en 14 nm utilise des transistors 3D tri-gate de 2e génération pour offrir des performances, une consommation, une densité et des coûts par transistor incroyables. Elle sert à fabriquer une large gamme de produits, allant de solutions hautes performances à des solutions basse consommation.

Solutions ultra-rapides et consommant peu d'énergie propulsées par Intel

Les transistors 14 nm améliorent les performances et réduisent les fuites de courant, ce qui en fait un composant parfait pour une large gamme de produits, des ordinateurs portables aux serveurs. La technologie de gravure en 14 nm Intel® sert à fabriquer un vaste éventail de produits hautes performances et basse consommation tels que des serveurs, des appareils personnels et des objets connectés.

Mark Bohr, Intel Fellow, présente le nouveau procédé de transistor en 14 nm et explique comment les ailettes tri-gate sont désormais plus hautes, plus fines et plus rapprochées. Elles offrent ainsi des performances exceptionnelles, une consommation moindre et une autonomie plus longue pour des expériences informatiques plus riches.

La technologie 14 nm Intel® améliore les dimensions par rapport au 22 nm. Les ailettes des transistors sont plus hautes, plus fines et plus rapprochées pour augmenter la densité et diminuer la consommation. Enfin, les transistors améliorés nécessitent moins d'ailettes, et la taille des cellules SRAM est presque réduite de moitié par rapport à la technologie 22 nm.

Le procédé de fabrication en 14 nm et le système monopuce (SoC) d'Intel sont maintenant qualifiés et produits en série dans nos usines en Oregon (2014), Arizona (2014) et Irlande (2015).