Infos essentielles

Capacité
1 TB
état
Launched
Date de lancement
Q2'19
Conditions d'utilisation
PC/Client/Tablet

Spécifications de performance

Lecture séquentielle (jusqu'à)
2400 MB/s
écriture séquentielle (jusqu'à)
1800 MB/s
Consommation - Actif
5.8W
Consommation - Inactif
L1.2 : <13mW

Fiabilité

Vibration - En fonctionnement
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Vibration - à l'arrêt
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Choc (en fonctionnement et à l'arrêt)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Plage de température de fonctionnement
0°C to 70°C
Température de fonctionnement (maximum)
70 °C
Température de fonctionnement (minimum)
0 °C
Classement selon endurance (Relevés de durée de vie)
300 TBW
Temps moyen entre les défaillances (MTBF)
1.6 Million Hours
UBER (Uncorrectable Bit Error Rate)
< 1 sector per 10^15 bits read
Période de garantie
5 yrs

Infos supplémentaires

URL d'infos complémentaires
Description
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Spécifications du package

Poids
Less than 10 grams
Format
M.2 22 x 80mm
Interface
PCIe 3.0 x4, NVMe

Technologies avancées

Protection améliorée des données en cas de panne de courant
Oui
Gestion et consignation de la température
Oui
Protection des données de bout en bout
Oui
Intel® Rapid Start Technology
Oui