Transformer l'économie du stockage

La technologie NAND 3D Intel® étend notre leadership dans le domaine de la mémoire Flash avec une architecture conçue pour offrir une capacité supérieure et des performances optimales, un procédé de fabrication éprouvé fournissant des transitions accélérées et des possibilités d'évolutivité, ainsi qu'une gamme de produits en expansion rapide pour plusieurs segments de marché.

Intel® innove pour augmenter la capacité de stockage

Intel introduit la première unité de stockage SSD PCIe* avec technologie QLC au monde. La technologie NAND 3D QLC Intel® offre une capacité jusqu'à 33 % supérieure1 à celle de son prédécesseur NAND 3D. Sa fonction d'accélération PCIe* unique fournit une combinaison fiable de performances, de capacité et de faible coût, créant ainsi une solution de stockage intelligent pour les datacenters et les postes clients.

La technologie QLC Intel® s'appuie sur la NAND 3D actuelle, avec une structure à 64 couches qui a fait ses preuves, et ajoute une nouvelle cellule qui fournit 4 bits/cellule (QLC), ce qui en fait la mémoire flash à la densité la plus élevée. Cette technologie utilise également une cellule à grille flottante, car il s'agit d'une méthode de stockage fiable et peu coûteuse. Enfin, la technologie QLC Intel® a été associée à la technologie PCIe*- (NVMe*) pour fournir un gain de performances de jusqu'à 4 fois par rapport aux interfaces SATA.2

Préparez-vous pour l'avenir avec une mémoire QLC basée sur une technologie Intel® fiable et le leadership d'Intel en matière de fabrication.

Les grandes entreprises bénéficient enfin d'unités SSD performantes

Pour les datacenters, la technologie NAND 3D QLC Intel® diminue radicalement l'empreinte des disques durs.3, ainsi que la consommation d'énergie, les ressources de refroidissement (car elle implique moins de systèmes)4 et les coûts associés au remplacement des disques.5 Parallèlement à la diminution de l'empreinte, les performances augmentent.6 L'accélération PCIe* met fin aux goulets d'étranglement du stockage SATA7, libérant toute la puissance de QLC. Associés à la technologie Intel® Optane™ disponible en option, les produits pour datacenters dotés de la technologie NAND 3D Intel® fournissent des performance encore meilleures2, accélérant l'accès aux données essentielles.

Effectuez plus de tâches, stockez plus de contenus et réalisez plus d'économies grâce à la technologie QLC Intel® intégrée aux unités de stockage SSD Intel® séries D5-P4320 et D5-P4326 (actuellement proposées en quantités limitées et largement disponibles à l'hiver 2018).

L'exceptionnel est désormais abordable

La technologie NAND 3D QLC Intel® répond aux besoins de stockage actuels des particuliers et évoluera avec les demandes croissantes de demain. Ces unités SSD conservent davantage de données que les solutions de stockage basées sur TLC, allant jusqu'à doubler la capacité avec une empreinte identique.1 Intel est le seul fabricant à avoir associé cette technologie révolutionnaire à PCIe* pour fournir des performances PCIe abordables.

Acheter une unité SSD NAND 3D QLC Intel®

Conçue dans une optique de capacité et de fiabilité

La technologie NAND 3D Intel® répond de façon inédite à la demande croissante de l'industrie en termes de capacité de stockage de données. Contrairement aux autres solutions NAND disponibles, elle est conçue sur une architecture à grille flottante avec des cellules de plus petite taille et un réseau très efficace, ce qui se traduit par une capacité supérieure et une fiabilité élevée avec une forte protection contre les pertes de charge.

Comment la technologie NAND 3D fait évoluer le stockage

La technologie NAND 3D Intel® accélère la loi de Moore dans trois dimensions, surmontant les limites de capacité de la technologie NAND 2D traditionnelle. L'empilement vertical de notre composant NAND 3D permet une densité de surface supérieure aujourd'hui, avec des possibilités d'évolutivité pour demain.

Innovation

64 couches révolutionnaires

Intel a appliqué 30 ans d'expérience dans le domaine des cellules Flash pour faire passer la technologie NAND de la 2D à la 3D, de la cellule multi-niveaux (MLC) à la cellule triple niveau (TLC) et de 32 à 64 couches. Toutes ces avancées fournissent la densité la plus élevée8 et font rapidement augmenter les capacités de stockage dans les solutions NAND 3D.

Gamme

Basé sur un procédé éprouvé

La technologie NAND 3D permet à Intel d'innover pour offrir des capacités de grande valeur dans une vaste gamme de produits. En intégrant cette architecture à nos solutions SSD, nous améliorons rapidement les performances, la consommation d'énergie, la régularité des performances et la fiabilité de chaque génération.

Évolutivité

Offrir des opportunités de changement

Pour sa technologie NAND 3D, Intel emploie des processus de fabrication dont l'efficacité a été prouvée par des décennies de production en grands volumes. Grâce à une forte synergie générationnelle dans son réseau d'usines, Intel espère augmenter la capacité NAND 3D plus vite que le marché, et ainsi commercialiser rapidement des applications au coût de revient inégalé.

Infos sur le produit et ses performances

1

La TLC (cellule à trois niveaux) contient 3 octets par cellule et la QLC (cellule à quatre niveaux) contient 4 octets par cellule. Calculé comme suit : (4-3)/3 = 33 % plus d'octets par cellule.

 

2

Cluster vSAN 4 nœuds - configuration système 1 nœud : modèle de serveur : Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS) ; carte mère : H48104-850 ; processeur : double processeur Intel® Xeon® Gold 6142 2.6G, 16 cœurs/32 threads, 10,4 GT/s, 22 Mo de cache, turbo, technologie Hyper-Threading (150 W) DDR4-2666 ; mémoire : 16 Go RDIMM, 2 666 MT/s, double rang x16 ; cartes réseau : carte SFP Intel X520-DA2 10 GbE + DAC et LAN intégré Intel X722 10 GbE. Toutes les configurations TLC : 2 unités de stockage SSD pour centre de données Intel® série P4610 1,6 To pour la mise en cache et 4 unités de stockage SSD pour centre de données Intel® série P4510 4 To pour la capacité de stockage ; mémoire Intel® Optane™ +Configuration QLC : 2 unités de stockage SSD Intel® Optane™ DC série P4800X 375 Go pour la mise en cache et 2 unités de stockage SSD Intel® SSD D5-P4320 de 7,68 To pour la capacité de stockage. 2 charges de travail : HCIBench : https://labs.vmware.com/flings/hcibench. Nombre de machines virtuelles : 16, nombre de disques de données : 8, taille des disques de données : 60, nombre de disques à tester : 8, pourcentage de données de travail : 100, nombre de threads par disque : 4, taille des blocs : 4K, pourcentage de lecture : 70, pourcentage aléatoire : 50, durée du test : 3 600. Résultats : configuration P4610+P4510 = 83 451 IOPS @ 6,3 ms de latence. Configuration P4800x+P43220 = 346 644 IOPS @ 1,52 ms de latence. 

 

3

Comparaison d'un disque dur 3,5" 4 To de classe WD Gold TB Enterprise 7 200 tr/min, ce qui permet jusqu'à 24 disques durs pour 2 U et un total de 20 U et 960 To, et d'une unité de stockage SSD E1.L Intel® série D-5 P4326 de 30,72 To (disponible à une date ultérieure) permettant jusqu'à 32 disques durs pour 1 U et un total de 1 U et 983 To. Donc 20 unités par rack contre 1 unité par rack.

 

4

Alimentation, refroidissement, consolidation des économies de coûts. Sur la base d'un disque dur : disque dur 4 To 7 200 tr/min, AFR de 2 % et puissance active de 7,7 W, 24 disques dans 2 U (1 971 W de puissance totale) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdfUnité de stockage SSD : 22 W de puissance active 44 % AFR, 32 disques dans 1 U (704 W de puissance totale) ; coût de refroidissement basé sur un déploiement sur cinq ans avec un coût du Kwh de 158 USD et le nombre de watts nécessaire pour refroidir 1 watt 1,20 basé sur disque dur 3,5" 2U 24 disques et EDSFF 1U Long 1U 32 disques. Stockage hybride basé sur l'utilisation d'une unité de stockage SSD TLC Intel® pour le cache.

 

5

Économie de coût pour le remplacement de l'unité de stockage. Calcul : Disque dur 2 % AFR x 256 unités x 5 ans = 25,6 remplacements en 5 ans ; unité de stockage SSD : 0,44 % AFR x 32 unités x 5 ans = 0,7 remplacement en 5 ans.

 

6

Compare les IOPS et la profondeur de queue 32 en lecture aléatoire 4K entre l'unité de stockage SSD Intel D5-P4320 et le disque dur Toshiba N300. 175 000 IOPS : Données mesurées sur une unité de stockage SSD Intel D5-P4320 de 7,68 To. IOPS en lecture aléatoire 4K ; profondeur de file d'attente de 32. 532 IOPS : Basé sur les bancs d'essai de Tom's Hardware pour le disque dur Toshiba N300 8 To 7 200 tr/min. IOPS en lecture aléatoire 4K ; profondeur de file d'attente de 32 : https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Les IOPS en lecture aléatoire 4K sont donc 329 fois meilleurs.

 

7

IOPS PCIe* basé sur une simulation de lecture aléatoire 4K, profondeur de file de 256, estimations de performances réalisées par Intel pour l'unité de stockage SSD QLC PCIe* D5-P4320/D5-P4326 à des capacités différentes : 3,84 To ; 7,68 To ; 15,36 To et 30,72 To. IOPS SATA réglé sur 100K IOPS pour tous les points de capacité sur la base d'un maximum possible de 100K IOPS pour les unités de stockage SSD SATA compétitives actuelles de Micron. La fiche technique de l'unité de stockage Flash NAND série 5200 de Micron donne des IOPS max. pour une lecture aléatoire 4K à QD32 de 95K IOPS pour les processeurs 3,84 To et 7,68 To. Fiche technique située ici : https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

Comparaison de la densité de surface des données mesurées Intel avec la technologie Intel® 3D NAND 512 Go avec des concurrents représentatifs sur la base des études de l'International Solid-State Circuits Conference 2017 de l'IEEE citant les tailles de matrice de Samsung Electronics et Western Digital/Toshiba pour le composant NAND 3D à 64 couches.