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Mémoire vive pour Intel® Carte mère DZ68ZV


Dernière révision : 16-Mar-2016
ID de l'article : 000008209

Fonctionnalités de la mémoire système
La carte possède quatre emplacements pour barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

 

  • 1,35 v (spécification JEDEC) de mémoire DIMM SDRAM DDR3
  • Deux canaux de mémoire indépendants avec prise en charge du mode entrelacé
  • DIMM sans tampon, double face simple ou double face avec la restriction suivante : double face de barrettes DIMM avec x16 organisation ne sont pas pris en charge.
  • Mémoire système totale maximale de 32 Go (à l'aide de la technologie de mémoire de 4 Go).
  • Mémoire minimum: 1 Go à l'aide de 512 Mo x16 module
  • Non-ECC DIMM
  • Serial Presence Detect
  • DDR3 mémoire DIMM SDRAM 1600 MHz, 1 333 MHz et 1 066 MHz
  • Profil de performances 1,2 XMP version prise en charge des vitesses de mémoire au-dessus de 1 600 MHz

Pour être en parfaite conformité avec toutes les spécifications de mémoire DDR SDRAM applicables, la carte doit être remplie avec barrettes DIMM prenant en charge de la structure de données de détection de présence Serial (SPD). Cela permet le BIOS pour lire les données SPD et programmer le jeu avec précision configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de la mémoire, mais performances et fiabilité est peut-être concernés ou les barrettes de ne pas fonctionnent dans le cadre de la fréquence déterminée.

1,5 v est la manière recommandée et par défaut pour la tension de mémoire DDR3. Les autres paramètres de tension de mémoire dans le programme de configuration du BIOS sont fournis pour performance tuning titre d'information. La modification de la tension peut (i) réduire la stabilité du système et la durée de vie utile du système, de la mémoire et du processeur ; (ii) entraîner un dysfonctionnement du processeur ou autres composants système ; (iii) diminuer les performances du système ; (iv) entraîner une surchauffe ou autres dommages ; et l'intégrité des données du système (v) affecter.

Intel n'a pas testé et ne garantit pas le fonctionnement du processeur au-delà de ses spécifications. Pour plus d'informations sur la garantie du processeur, reportez-vous aux Informations de garantie de processeur.

Intel décline toute responsabilité la mémoire est installée sur la carte mère, si leur fréquence ou tensions, quant à un usage particulier. Renseignez-vous auprès du fabricant de la mémoire pour les conditions de garantie et des détails supplémentaires.

Configurations de mémoire prise en charge

Capacité DIMMConfigurationDensité de type SDRAMOrganisation de type SDRAM située à l'avant / arrièreNombre d'appareils de type SDRAM
512 MORecto1 Gbit64 Mo x 16 / vide4
1 GORecto1 Gbit128 Mo x 8 / vide8
1 GORecto2 Gb128 Mo x 16 / vide4
2 GODouble face1 Gbit128 Mo x 8 / 128 Mo x 816
2 GORecto2 Gb128 Mo x 16 / vide8
4 GODouble face2 Gb256 Mo x 8 / 256 Mo x 816
4 GORecto4 Gb512 Mo x 8 / vide8
8 GODouble face4 Gb512 Mo x 8 / 512 Mo x 816


Mémoires testées

Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui ont réussi les tests pendant le développement. Ces numéros de pièce n'est peut-être pas votre disposition tout au long du cycle de vie du produit.
 

Fournisseur de moduleNuméro de pièce de moduleTaille du moduleVitesse du module [Mhz]Latence CL-tRCD-tRPOrganisation des DIMMCode du module DateNuméro de pièce de composant
ADATAAX3U1600PB2G8 - 2P2 GO16008/8/2008x16N/AAX3U1600PB2G8 - 2P
ADATAAX3U1866PB2G8-DP22 GO18668/8/2008x16N/AAX3U1866PB2G8-DP2
DISPONIBLE À LA VENTEVQ1333B8842 GO13339/9/20092Rx8N/AVQ1333B884
CorsairCMT4GX3M2A1600C7ver:2.32 GO16007/7/2007N/AN/ACMT4GX3M2A1600C7ver:2.3
CorsairCMT4GX3M2A1866C9 ver:7.12 GO18669/9/2009N/AN/ACMT4GX3M2A1866C9 ver:7.1
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GO10667/7/2007x8820HMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H91 GO13339/9/2009x8824HMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 GO10667/7/20072Rx8819HMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GO13339/9/20092Rx8921HMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G74 GO10667/7/20072Rx8931HMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GO13339/9/20092Rx8848HMT351U6AFR8C-H9
KingstonKHX2133C9AD3T1K2/4GX2 GO21339/11/2009N/AN/AKHX2133C9AD3T1K2/4GX
KingstonKHX250C9D3T1F3/6GX2 GO22509/11/2009N/AN/AKHX250C9D3T1F3/6GX
MicronMT8JTF12864AY-1G1D11 GO10667/7/2007x8N/AMT8JTF12864AY-1G1D1
MicronMT8JTF12864AY-1G4D11 GO13339/9/2009x8N/AMT8JTF12864AY-1G4D1
MicronMT16JTF25664AY-1G1D12 GO10667/7/20072Rx8N/AMT16JTF25664AY-1G1D1
MicronMT16JTF25664AZ-1G4F12 GO13339/9/20092Rx8N/AMT16JTF25664AZ-1G4F1
MicronMT16JTF51264AZ-1G1D14 GO10667/7/20072Rx8N/AMT16JTF51264AZ-1G1D1
MicronMT16JTF51264AZ-1G4D4 GO1333
9/9/20092Rx8N/AMT16JTF51264AZ-1G4DSamsungM378B2873DZ1-CF81 GO10667/7/2007x8816M378B2873DZ1-CF8SamsungM378B2873EH1-CH91 GO13339/9/2009x8932M378B2873EH1-CH9SamsungM378B5673DZ1-CF82 GO10667/7/20072Rx8810M378B5673DZ1-CF8SamsungM378B5673DZ1-CH92 GO13339/9/20092Rx8930M378B5673DZ1-CH9SamsungM378B5273BH1-CF84 GO10667/7/20072Rx8853M378B5273BH1-CF8SamsungM378B5273BH1-CF84 GO13339/9/20092Rx8853M378B5273BH1-CF8

- Ces informations, traduites en français, sont le résultat d'une association de traductions humaines et électroniques du contenu originel et vous sont fournies à titre de commodité. Ce contenu vous est fourni à titre informatif seulement et ne saurait être totalement exact ou complet.