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Mémoire système pour Intel ® Carte mère D2500HN


Dernière révision : 04-Feb-2016
ID de l'article : 000007426

Fonctionnalités de la mémoire système
Configurations de mémoire prise en charge
Mémoires testées

Fonctionnalités de la mémoire système
La carte possède deux emplacements pour mémoire DDR3 SO-DIMM de 204 broches et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • SDRAM DDR3 SO-DIMM avec des contacts plaqués or
  • DIMM sans tampon, double face simple ou double face
  • 4 Go de mémoire système totale maximale
  • Mémoire minimum : 256 Mo
  • Non-ECC DIMM
  • Serial Presence Detect
  • Mémoire DDR3 1066 MHz, mémoire DDR3 1333 MHz, mémoire DDR3 1600 MHz SO-DIMM (mémoire DDR3 1333 MHz et mémoire DDR3 1600 MHz, mémoire fonctionnent à 1 066 MHz)

En raison de contraintes thermiques refroidissement passif, mémoire vive doit avoir un score de température de fonctionnement de 85 ° C. La carte est conçue pour être refroidissement passif dans un châssis ventilé correctement. Châssis emplacements d'aération sont recommandés au-dessus de la zone de mémoire système pour l'efficacité de dissipation thermique maximum.

Si vous installez qu'une seule SO-DIMM, il doit être installé dans le socket bas (SO-DIMM (1).

Pour être en parfaite conformité avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR3 applicables, la carte doit être remplie avec barrettes SO-DIMM prenant en charge de la structure de données de détection de présence Serial (SPD). Cela permet le BIOS pour lire les données SPD et programmer le jeu avec précision configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, performances et fiabilité est peut-être concernés ou le SODIMM ne fonctionne pas dans le cadre de la fréquence déterminée.

Configurations de mémoire prise en charge
Configurations de mémoire système sont basées sur la disponibilité et sont sujets à modification.

Version de la carte bruteCapacité de SO-DIMMTechnologie de périphérique DRAMOrganisation de DRAMNbre de périphériques DRAM
B1 GO1 Go128 Mo x 88
2 GO2 Go256 Mo x 88
F2 GO1 Go128 Mo x 816
4 Go,12 Go256 Mo x 816

1 Prise en charge un 4 Go SO-DIMM installée dans l'emplacement 1. Slot 0 doit être laissé vide.

Mémoires testées
Ordinateur mémoire Test Labs * (cmtl.) les tests de mémoire tiers pour la compatibilité avec les cartes mères Intel® que demandé par les fabricants de mémoire. Pour cette carte mère Intel ®, consultez le cmtl testé la liste des mémoires .

Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui passé les tests pendant le développement. Ces numéros de pièce n'est peut-être pas votre disposition tout au long du cycle de vie du produit.

Fabricant du moduleNuméro de pièce de moduleTaille du moduleVitesse de moduleECC ou Non-ECCFabricant du composantNuméro de pièce de composant
ELPIDAEBJ21UE8BAU0-AE-E2 GO1 066 MHzNon ECCELPIDAEBJ21UE8BAU0-AE-E
EBJ21UE8BAU0-DJ-E2 GO1 333 MHzNon ECCELPIDAEBJ21UE8BAU0-DJ-E
HynixHMT125S6TFR8C-G7N02 GO1 066 MHzNon ECCHynixHMT125S6TFR8C-G7N0
HMT125S6BFR8C-H9N02 GO1 333 MHzNon ECCHynixHMT125S6BFR8C-H9N0
MicronMT8JSF12864HZ-1G4F11 GO1 333 MHzNon ECCMicronMT8JSF12864HZ-1G4F1
MT16JSF25664HY-1G1D12 GO1 066 MHzNon ECCMicronMT16JSF25664HY-1G1D1
MT8J25664HZ-1G4D12 GO1 333 MHzNon ECCMicronMT8J25664HZ-1G4D1
SamsungM471B2873FHS-CF81 GO1 066 MHzNon ECCSamsungM471B2873FHS-CF8
M471B2873EH1-CH91 GO1 333 MHzNon ECCSamsungM471B2873EH1-CH9
M471B5673EH1-CF82 GO1 066 MHzNon ECCSamsungM471B5673EH1-CF8
M471B5773CHS-CH92 GO1 333 MHzNon ECCSamsungM471B5773CHS-CH9

- Ces informations, traduites en français, sont le résultat d'une association de traductions humaines et électroniques du contenu originel et vous sont fournies à titre de commodité. Ce contenu vous est fourni à titre informatif seulement et ne saurait être totalement exact ou complet.