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Mémoire vive pour Intel® pour PC de bureau carte mère D915GLVG


Dernière révision : 07-Feb-2017
ID de l'article : 000007237

Fonctionnalités de mémoire système
Les cartes mères quatre baies pour barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • 2,5 V (uniq.) modules DIMM SDRAM DDR avec contacts plaqués or.
  • Barrettes DIMM sans tampon, single-sided ou empilables avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec x16 organisation ne sont pas pris en charge.
  • 4 Go de mémoire vive totale ne dépasse.
  • Mémoire minimum : 128 Mo.
  • Barrettes DIMM non ECC.
  • Serial Presence Detect.
  • Mémoire DDR 400 MHz et les barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR 333 MHz.

Remarque :
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR, la carte doit être équipée de barrettes DIMM qui prennent en charge de la structure de données de détection de présence série (SPD). Ainsi, le BIOS pour lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS essaie de configurer les paramètres de mémoire, mais performances et la fiabilité peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne fonctionner qu’à une fréquence.

Remarque d’intégration
Il est possible d’installer les quatre modules de 2 048 Mo (2 Go) pour un total de 8 Go de mémoire système, mais seulement 4 Go d’espace d’adressage est disponible.

Prise en charge du bus principal et les combinaisons de vitesse de mémoire

Pour utiliser ce type de module DIMM...Bus principal du processeur doit être en cours...
MÉMOIRE DDR 400 MHZ800 MHz
Mémoire DDR 333 MHz (Remarque)533 ou 800 MHz
 

Remarque :
Lorsque vous utilisez un processeur 800 MHz system bus fréquence, la mémoire DDR 333 est entrée à 320 MHz. Cela minimise les latences pour optimiser le débit du système.

Configurations des DIMM gérées

Capacité DIMMConfigurationDensité SDRAMSDRAM organisation côté/arrière-principalNombre de périphériques de type SDRAM
128 MOSS256 MbitM 16 x 16/vide4
256 MOSS256 MbitM x 8 32/vide8
256 MOSS512 Mbit32 Mo x 16/vide4
512 MOSERVICE D’ANNUAIRE256 Mbit32 Mo x 8 et 32 Mo x 816
512 MOSS512 Mbit64 Mo x 8/vide8
512 MOSS1 GB64 Mo x 16/vide4
1024 MOSERVICE D’ANNUAIRE512 Mbit64 Mo x 8/64 M x 816
1024 MOSS1 GB128 Mo x 8/vide8
2 048 MO.SERVICE D’ANNUAIRE1 GB128 Mo x 8/128 Mo x 816
 

Remarque :
Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence aux modules de mémoire recto-verso (contenant deux lignes de type SDRAM) et « SS » fait référence à des modules mémoire empilables (contenant une ligne de type SDRAM).

Mémoire testée

Mémoire non testée fournisseur
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme un plan de test commun à utiliser comme le contrôle de la stabilité de la mémoire de base. Mémoires mentionnées a été testées par le fabricant ou par Intel à l’aide de ce plan de test. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l’aide du programme d’auto-test d’Intel pour Intel® pour PC de bureau carte mère D915GLVG.

Fournisseur de module
Numéro de référence de module
Taille du module
(MO)
Vitesse de module
(MHz)
Temps de latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
DIMM
Organisation
Module
Code de date
Composant utilisé
Numéro de référence comp
Infineon Technologies
HYS64D128320HU-5-B
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx80445Infineon Technologies
HYB25D512800BE-5
Infineon Technologies
HYS64D64320HU-5-C
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80436Infineon Technologies
HYB25D512800CE-5
Infineon Technologies
HYS64D32300HU-5-C
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80432Infineon Technologies
HYB25D512800CE-5
Kingston Technology
KVR400X64C3A / 1G
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx80518Infineon
HYB25D512800BE-5
Kingston Technology
KVR400X64C3A / 1G
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx8449Samsung *
K4H510838B-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80518Micron *
MT46V64M8-5 B
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80000Samsung
K4H560838F-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/256
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80000Promotions *
V58C2256804SCT5B
Samsung
M368L2923CUN-CCC
1 GO4003-3-3Non-ECCDSx80509Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L6423ETN-CCC
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80509Samsung
K4H560838E-TCCC
Samsung
M368L6423FTN-CCC
512 MO4003-3-3Non-ECCDSx80506Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L6523CUS-CCC
512 MO4003-3-3Non-ECCSSx80503Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L3223FTN-CCC
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80506Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L3324CUS-CCC
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx160506Samsung
K4H511638C-UCCC
Samsung
M368L3223ETN-CCC
256 MO4003-3-3Non-ECCSSx80506Samsung
K4H560838E-TCCC
Infineon Technologies
HYS64D128320HU-6-B
1 GO3332.5-3-3Non-ECCDSx80434Infineon Technologies
HYB25D512800BE-6
Infineon Technologies
HYS64D64320HU-6-C
512 MO3332.5-3-3Non-ECCDSx80436Infineon Technologies
HYB25D512800CE-6
Infineon Technologies
HYS64D32300HU-6-C
256 MO3332.5-3-3Non-ECCSSx80436Infineon Technologies
HYB25D512800CE-6
Micron
MT16VDDT6464AG-40BGB
512 MO4003-3-3Non-ECCDBx160511Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT12864AG-335DB
1024 MO3332.5-3-3Non-ECCDBx80519Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT12864AY-335DB
1024 MO3332.5-3-3Non-ECCDBx80438Micron
MT46V64M8P
Samsung
CB3-M368L5623MTN
2 GO3332.5-3-3Non-ECCDSx80508Samsung
K4H1G0838M-TCB3
 

Mise à jour : Le 2 novembre 2005

- Ces informations, traduites en français, sont le résultat d'une association de traductions humaines et électroniques du contenu originel et vous sont fournies à titre de commodité. Ce contenu vous est fourni à titre informatif seulement et ne saurait être totalement exact ou complet.