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Mémoire vive pour Intel® pour PC de bureau carte mère DB75EN


Dernière révision : 27-Jan-2017
ID de l'article : 000007110

Fonctionnalités de mémoire système
La carte propose 4 baies DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • 1,5 v barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR3 avec des contacts plaqués or, avec la possibilité d’augmenter la tension pour prendre en charge des barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR3 des performances supérieures.
  • 1,35 DIMM DDR3 à faible tension (spécification JEDEC)
  • Deux canaux de mémoire indépendants avec prise en charge du mode entrelacé
  • Barrettes DIMM sans tampon, single-sided ou empilables avec la restriction suivante : ne prend pas en charge x16 recto-verso DIMM.
  • 32 Go de mémoire vive totale ne dépasse (grâce à la technologie de mémoire de 4 Go).
  • Minimum recommandée mémoire : 1 Go
  • Barrettes DIMM non ECC
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR3 1600 MHz, mémoire DDR3 1333 MHz et barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR3 1066 MHz. Processeurs de 3e génération Intel® Core™ sont les processeurs seuls qui prend en charge des barrettes DIMM de mémoire DDR3 1600 MHz.

Pour la conformité avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM Intel applicables, la carte mère nécessite DIMM prenant en charge de la présence de série détecte la structure de données (SPD). Barrettes DIMM qui prennent en charge SPD, permet du BIOS de lire les données SPD et programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS essaie de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais des performances et la fiabilité peuvent être affectés. En outre, les barrettes DIMM peut ne pas fonctionnent dans le cadre de la fréquence spécifiée.

Configurations des DIMM gérées

Capacité DIMMConfigurationDensité SDRAMOrganisation de type SDRAM avant / arrièreNombre de périphériques de type SDRAM
1 GORecto1 GB128 Mo x 8 / vide8
2 GORecto-verso1 GB128 Mo x 8 / 128 Mo x 816
2 GORecto2 Gb256 Mo x 8 / vide8
4 GORecto-verso2 Gb256 Mo x 8 / 256 Mo x 816
4 GORecto4 Gb512 Mo x 8 / vide8
8 GORecto-verso4 Gb512 Mo x 8 / 512 Mo x 816
 

Mémoire testée

Ordinateur Memory Test Labs * (CMTL). les tests de mémoire de fournisseurs tiers pour la compatibilité avec Intel® mères comme demandé par les fabricants de mémoire. Consultez le ce laboratoire testé la liste des mémoires* pour cette carte mère Intel®.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les tests pendant le développement. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Fabricant du moduleNuméro de référence de moduleTaille du moduleVitesse de module (MHz)
A les données ont *M3OHYMH3J4130G2C5Z2 GO1333
A les données ontAX3U1600GB2G92 GO1600
Apacer *240P1 GO1333
Elpida *EBJ10UE8BAFA-AG-E1 GO1066
ElpidaEBJ10UE8BDF01 GO1333
ElpidaEBJ21UE8BBF02 GO1066
ElpidaEBJ21UE8BBF0-DJ-F2 GO1333
Hynix *HMT112U6BFR8C-G71 GO1066
HynixHMT112U6TFR8C-H91 GO1333
HynixHMT125U6BFR8C-G72 GO1066
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GO1333
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GO1333
Kingston *HP497156-C01-ELB4233926-09111 GO1333
KingstonKHX1866C9D3T1K3/3GX1 GO1866
KingstonKHX1600C9D32 GO1600
KingstonKHX2133C9AD3T1K22 GO2133
Micron *MT8JTF12864AY1 GO1066
MicronMT8JTF12864AZ-1G4F11 GO1333
MicronMT16JTF25664AY-1G1D12 GO1066
MicronMT16JTF25664AY-1G4D12 GO1333
Qimonda *IMSH1GU13A1F1C1 GO1066
QimondaIMSH2GU13A1F1C2 GO1333
QimondaIMSH51U03A1F1C512 MO1066
Samsung *M378B22873DZ1-CH91 GO1333
SamsungM378B5673FH0-CH92 GO1333
SamsungM378B5273DH0-CH94 GO1333
SamsungM378B2873EH1-CF81 GO1066
SamsungM378B5673DZ1-CF82 GO1066
 
Rubriques connexes
Mémoire DDR, DDR2 et DDR3
Modes mono et plusieurs canaux mémoire
Dépannage des problèmes de mémoire système

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