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Mémoire vive pour Intel® pour PC de bureau carte mère DQ67SW


Dernière révision : 28-Jan-2017
ID de l'article : 000007058

Fonctionnalités de mémoire système
Configurations des DIMM gérées
Mémoire testée

Fonctionnalités de mémoire système
La carte propose 4 baies DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivantes :

  • Deux canaux de mémoire indépendants avec prise en charge du mode entrelacé
  • Prend en charge 1,2 V, 1,8 la tension de mémoire DIMM V
  • Prise en charge des barrettes simples ou empilables avec x8 non-ECC sans Registre, organisation
  • 32 Go de mémoire vive totale ne dépasse (grâce à la technologie de mémoire de 4 Go)
  • Mémoire minimum : 1 Go à l’aide du module 1 Go x8
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR3 1333 MHz et les barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR3 1066 MHz

Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR applicables, la carte doit être équipée de barrettes DIMM que prise en charge de la présence de série détecte la structure de données (SPD). Ainsi, le BIOS de lire les données SPD et programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si la mémoire non SPD est installé, le BIOS tentera de correctement configurer les paramètres de la mémoire, mais performances et la fiabilité peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne fonctionner qu’à une fréquence.

Conseillés et la valeur par défaut de la tension de mémoire DDR3 est de 1,5 V. Les autres paramètres de tension de mémoire dans le programme de configuration du BIOS sont fournis qu’à des performances optimisation. La modification de la tension peut (i) réduire la stabilité du système et la durée de vie utile du système, de la mémoire et du processeur ; (ii) entraîner un dysfonctionnement du processeur ou autres composants système ; (iii) nuire aux performances du système ; (iv) entraîner une surchauffe ou autres dommages ; et l’intégrité des données du système (v) affecter.

Intel n’a pas testé et ne garantit pas le fonctionnement du processeur au-delà de ses spécifications. Pour plus d’informations sur la garantie du processeur, reportez-vous à Informations sur la garantie de processeur.

Configurations des DIMM gérées

Capacité DIMMConfigurationDensité SDRAMSDRAM organisation côté/arrière-principalNombre de périphériques de type SDRAM
512 MORecto1 GB64 Mo x 16 / vide4
1 GORecto1 GB128 Mo x 8 / vide8
1 GORecto2 Gb128 Mo x 16 / vide4
2 GORecto-verso1 GB128 Mo x 8 / 128 Mo x 816
2 GORecto2 Gb128 Mo x 16 / vide8
4 GORecto-verso2 Gb256 Mo x 8 / 256 Mo x 816
8 GORecto-verso4 Gb512 Mo x 8 / 512 Mo x 816
   

Un tiers des mémoires testées

Ordinateur Memory Test Labs * (CMTL). les tests de mémoire de fournisseurs tiers pour la compatibilité avec les cartes mères Intel que demandé par les fabricants de mémoire. Consultez le ce laboratoire testé la liste des mémoires* pour la DQ67SW de carte mère Intel® pour PC de bureau.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais pendant le développement. Ces numéros de référence n’est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Fabricant du moduleNuméro de référence de moduleTaille du moduleVitesse de moduleECC ou Non-ECCFabricant du composantNuméro de référence de composant
Hynix *HMT112U6AFP8C-H91 GO1 333 MHzNon-ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GO1066 MHzNon-ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GO1 333 MHzNon-ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 GO1066 MHzNon-ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT351U6AFR8C-G74 GO1066 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GO1 333 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
Micron *MT16JTF25664AY-1G1D12 GO1066 MHzNon-ECCMicronMT16JTF25664AY-1G1D1
MicronMT16JTF25664AZ-1G4F12 GO1 333 MHzNon-ECCMicronMT16JTF25664AZ-1G4F1
MicronMT16JTF51264AZ-1G1D14 GO1066 MHzNon-ECCMicronMT16JTF51264AZ-1G1D1
MicronMT16JTF51264AZ-1G4D4 GO1 333 MHzNon-ECCMicronMT16JTF51264AZ-1G4D
MicronMT8JTF12864AY-1G1D11 GO1066 MHzNon-ECCMicronMT8JTF12864AY-1G1D1
MicronMT8JTF12864AY-1G4D11 GO1 333 MHzNon-ECCMicronMT8JTF12864AY-1G4D1
Samsung *M378B2873DZ1-CF81 GO1066 MHzNon-ECCSamsungM378B2873DZ1-CF8
SamsungM378B2873EH1-CH91 GO1 333 MHzNon-ECCSamsungM378B2873EH1-CH9
SamsungM378B5273BH1-CF84 GO1066 MHzNon-ECCSamsungM378B5273BH1-CF8
SamsungM378B5273BH1-CF94 GO1 333 MHzNon-ECCSamsungM378B5273BH1-CF9
SamsungM378B5673DZ1-CF82 GO1066 MHzNon-ECCSamsungM378B5673DZ1-CF8
SamsungM378B5673DZ1-CH92 GO1 333 MHzNon-ECCSamsungM378B5673DZ1-CH9
SamsungM378B1G73BH0-CH98 GO1 600 MHzNon-ECCSamsungK4B4G08468
 

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