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Assistance

Mémoire vive pour la Carte mère D945GCNL Intel®


Dernière révision : 28-Jan-2016
ID de l'article : 000006603

Fonctionnalités de la mémoire système
La carte possède deux emplacements pour barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 1,8 v (uniquement) les barrettes de mémoire SDRAM DDR2 avec des contacts plaqués or.
  • DIMM sans tampon, double face simple ou double face avec la restriction suivante : double face de barrettes DIMM avec x16 organisation ne sont pas pris en charge.
  • 2 Go de mémoire maximum total du système.
  • Mémoire minimum : 128 Mo.
  • Non-ECC DIMM.
  • Serial Presence Detect les.
  • DDR2 667, DDR2 533 ou mémoire DIMM SDRAM DDR2 400 MHz.
Notes
  • Supprimer le PCI Express x16 vidéo carte avant d’installer ou mettre à niveau de la mémoire pour éviter les interférences avec le mécanisme de rétention de mémoire.
  • Quel que soit le type de module DIMM utilisé, la fréquence mémoire est égale ou inférieure à la fréquence du Bus du système processeur. Par exemple, si la mémoire DDR2 533 est utilisé avec un processeur de fréquence de Bus système à 800 MHz, la mémoire fonctionne à 533 MHz.
  • Pour être entièrement conforme aux spécifications Intel® SDRAM applicables, la carte doit être DIMM prenant en charge de la structure de données de détection de présence Serial (SPD). Si vos modules de mémoire ne prennent pas en charge SPD, une notification s’affiche sur l’écran à la puissance de. Le BIOS essaie de configurer le contrôleur de mémoire pour un fonctionnement normal.
 

Prise en charge les configurations DIMM
Le tableau suivant répertorie les configurations DIMM pris en charge.

Capacité DIMMConfigurationDensité de type SDRAMOrganisation de type SDRAM avant/arrièreNombre d’appareils de type SDRAM
128 MOSS256 MbitM 16 x 16/vide 44
256 MOSS256 Mbit32 M x 8/vide 88
256 MOSS512 Mbit32 M x 16/vide 44
512 MODS256 Mbit32 M x 8/32 M x 8 1616
512 MOSS512 Mbit64 Mo x 8/vide 88
512 MOSS1 Gbit64 Mo x 16/vide 44
1024 MODS512 Mbit64 Mo x 8/64 Mo x 8 1616
1024 MOSS1 Gbit128 Mo x 8/vide 88
 
RemarqueDans la deuxième colonne, « DS » est l’acronyme double face modules de mémoire (deux lignes de type SDRAM). « SS » est l’acronyme de modules de mémoire simple face (une ligne de type SDRAM).
 

Mémoires testées

3ème partie testé mémoire*
3ème partie testé mémoire se produit comme demandé par les fournisseurs de mémoire et tester à une maison mémoire indépendant qui ne fait pas partie d’Intel - cmtl laboratoires de Test de mémoire (.) d’ordinateur.

Fournisseur mémoire testée par son
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent au programme avec un plan de test de mémoire commune à utiliser comme le contrôle de la stabilité de la mémoire de base. Mémoire indiqué ici ont réalisé des tests par le fournisseur de mémoire ou par Intel à l’aide de ce plan de test. Ces numéros de pièce n’est peut-être pas votre disposition tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui ont réussi les tests effectués avec le programme Intel Self Test pour le Intel® Carte mère D945GCNL.

Référence fournisseur et le Module de moduleTaille du moduleVitesse du module (MHz) 1Latence CL-tRCD-tRPECC ou Non-ECC ?Organisation des DIMMCode du module DateNuméro de pièce utilisé/Comp de composant
Corsair * VS256MB667D2256 MO667 Non ECC   
ELPIDA * EBE11UD8AEFA-6E-E1 GO6675/5/5Non ECCDSX8514ELPIDA E5108AE-6E-E
Hynix * HYMP512U64CP8-Y5-AB1 GO6675/5/5Non ECCDSX8649Hynix HY5PS12821CFP-Y5
Hynix HYMP532U64CP6256 MO6675/5/5Non ECCSSX8626Hynix HY5PS121621CFP-Y5
Hynix HYMP564U64BP8-S6 AB512 MO667 Non ECC   
Hynix HYMP564U64P8-E3512 MO4003/3/3Non ECCSSX8505Hynix HY5PS12821FP-E3
Infineon * HYS64T32000HU-2,5-B256 MO8006/6/6Non ECC   
Infineon HYS64T32000HU-3 s-B256 MO6675/5/5Non ECCSSX16540QIMONDA * HYB18T512160BF-3
Infineon HYS64T3200HU-3,7-A256 MO5334/4/4Non ECCSSX16526Infineon HY18T512160AF-3.7
Infineon HYS64T6400HU-2.5B512 MO8006/6/6Non ECCSSX8646QIMONDA HYB18T5128008F-25
Kingston * KVR667D2N5256 MO6675/5/5Non ECC   
Micron * MT4HTF3264AY-53EB1256 MO5334/4/4Non ECCSSX16524Micron MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY - 800D 3256 MO8006/6/6Non ECCSSX16646Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF5264AY-667B2256 MO667 Non ECC   
NANYA * NT1GT64U8HB0BY - 25D1 GO8006/6/6Non ECCDSX8703NANYA NTSTU66M88E - 25D
NANYA NT512T64U88B0BY - 25D512 MO8006/6/6Non ECCSSX8626NANYA NTSTU66M88E - 25D
PSD21G6672 Patriot *1 GO6675/5/5Non ECCDSX8446Micron MT47H64M8BT-3
PSC * AL6E8E63B-8E1K512 MO800 Non ECC   
RAMAXEL * RML1520HB38D6F-667512 MO667 Non ECC   
Samsung * KRM378T2953CZ0-CE61 GO6675/5/5Non ECCDSX8552Samsung K4T51083QC
Samsung M378T6453FGO-CD5512 MO5334/4/4Non ECCDSX8422Samsung K4T56083QF-GC05
Samsung M378T6553CZ3-CF7512 MO8006/6/6Non ECCSSX8641Samsung K4T51083QC-ZCF7
SMART * TB4D2667C58D1 GO667 Non ECC   
Super Talent * T800UB1GC41 GO800 Non ECC   
 

Mémoire, 800 MHz, 1 fonctionne à 667 MHz.

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