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Mémoire vive pour la carte mère DP55WB Intel®


Dernière révision : 28-Jan-2016
ID de l'article : 000006516

Fonctionnalités de la mémoire
La carte mère prend en charge la mémoire suivante :

  • Quatre connecteurs de Double Data Rate 3 (DDR3) SDRAM Dual Inline Memory Module barrettes DIMM 240 broches avec des contacts plaqués or organisés en deux canaux
  • 1333/1066 MHz DDR3 interface de type SDRAM
  • Prise en charge de mémoire simple et double-partenaire-revendeur entrelacement
  • Mémoire non ECC DDR3
  • Mémoire de détection de présence (SPD) série uniquement
  • Jusqu'à 16 Go de mémoire système totale maximale
  • Sans tampon, non enregistré simple ou double face DIMM avec une tension nominale de 1,65 v. ou moins.
RemarqueÀ l’aide d’une barrette DIMM avec une tension nominale supérieure à 1,65 V risquez d’endommager le processeur.
 

DDR3 1600 ou une mémoire prise en charge sur cette carte mère nécessite XMP compatible activé connaissances avancées du BIOS et des manipulations de mémoire manuelle. Les résultats obtenus peuvent varier.

systèmes d’exploitation 32 bits sont limitées à un maximum de 4 Go de mémoire. Ces systèmes d’exploitation indiquent moins de 4 Go en raison de la mémoire utilisée par les cartes d’extension et d’autres ressources système.

Pour être entièrement conforme aux spécifications de la mémoire Intel® SDRAM applicables, la carte doit être DIMM prenant en charge de la structure de données de détection de présence Serial (SPD). Si vos modules de mémoire ne prennent pas en charge SPD, vous recevez une notification à cet effet sur l’écran à la puissance de. Le BIOS essaie de configurer le contrôleur de mémoire pour un fonctionnement normal.

Prise en charge les configurations DIMM

Capacité DIMMConfigurationDensité de type SDRAMSDRAM organisation côté/arrière-principalNombre d’appareils de type SDRAM
512 MOSS 11 Gbit64 Mo x 16/vide4
1024 MOSS 11 Gbit128 Mo x 8/vide8
2 048 MO.SS 12 Gb256 Mo x 8/vide8
4096 MODS 22 Gb256 Mo x 8/256 Mo x 816
 

1 « SS » est l’acronyme de modules de mémoire simple face (une ligne de type SDRAM).
2 « DS » est l’acronyme de modules de mémoire double face (deux lignes de type SDRAM).


Mémoires testées

Ordinateur mémoire Test Labs * (cmtl.) teste la mémoire de tiers pour la compatibilité avec les cartes mères Intel comme demandé par les fabricants de mémoire. Pour le Intel® carte mère DP55WB, consultez le cmtl testé la liste des mémoires .

Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui ont réussi les tests pendant le développement. Ces numéros de pièce n’est peut-être pas votre disposition tout au long du cycle de vie du produit.

Référence fournisseur et le Module de moduleTaille du moduleVitesse du module (MHz)Latence CL-tRCD-tRPECC ou Non-ECC ?Organisation des DIMMCode du module DateNuméro de pièce utilisé/Comp de composant
Hynix * HMT125U6AFP8C-H9 NON-AA2 GO13339-9-9Non ECC2R x 80918Hynix H5TQ1G83AFP-H9C-914A
Kingston * KVR1333D3N9 / 1G ; 9905402-015-A00LF1 GO13339-9-9Non ECC1R x 80823Elpida * J1108BASE-DJ-E
Kingston KVR1333D3N9 / 2G ; 9905403-011.A00LF2 GO13339-9-9Non ECC2R x 80823Elpida J1108BASE-DJ-E
Kingston KVR1333D3N9 / 4G ; 9905403-011.A02LF2 GO13339-9-9Non ECC2R x 80914Elpida J1108BABG-DJ-E
Kingston KVR1333D3N9K2 / 2G ; 9905402-015-A02LF1 GO13339-9-9Non ECC1R x 80913Elpida J1108BABG-DJ-E
Micron * CT12864BA1339.8FF1 GO13339-9-9Non ECC1R x 80912Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT8JTF12864AZ-1G1F11 GO10667-7-7Non ECC1R x 80909Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron MT8JTF12864AZ-1G4F11 GO13339-9-9Non ECC1R x 8914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT8JTF12864AZ-1G4F11 GO13339-9-9Non ECC1R x 80912Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron CT25664BA1067.16FF2 GO10667-7-7Non ECC2R x 80913Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron CT25664BA1339.16FF2 GO13339-9-9Non ECC2R x 80914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT16JTF25664AY-1G4D12 GO13339-9-9Non ECC2R x 8850Micron MT41J128M8HX-15E:D
Micron MT16JTF25664AY-1G4F12 GO10667-7-7Non ECC2R x 8850Micron MT41J128M8HX-187E:D
Micron MT16JTF25664AY-1G4F12 GO10667-7-7Non ECC2R x 8911Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G1F12 GO10667-7-7Non ECC2R x 80913Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G4F12 GO13339-9-9Non ECC2R x 8914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G4F12 GO13339-9-9Non ECC2R x 80919Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G4F12 GO13339-9-9Non ECC2R x 80914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Samsung * M378B2873DZ1-CH81 GO10667-7-7Non ECC1R x 80825Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B2873DZ1-CH81 GO10667-7-7Non ECC1R x 80831Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B2873DZ1-CH82 GO10668-8-8Non ECC2R x 80825Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B2873DZ1-CH91 GO13339-9-9Non ECC1R x 80830Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B5673DZ1-CH92 GO13339-9-9Non ECC2R x 80838Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B5673DZ1-CH92 GO13339-9-9Non ECC2R x 80828Samsung K4B1G0846D
 

- Ces informations, traduites en français, sont le résultat d'une association de traductions humaines et électroniques du contenu originel et vous sont fournies à titre de commodité. Ce contenu vous est fourni à titre informatif seulement et ne saurait être totalement exact ou complet.