Procédé de gravure en 22 nm

Présentation du premier transistor 3D au monde capable d'être fabriqué en grandes quantités

3D, 22 nm : une nouvelle technologie pour des performances et une efficacité énergétique sans précédent

Intel a déployé une technologie totalement novatrice pour les futures gammes de microprocesseurs : les transistors 3D gravés en 22 nm. Avec ces nouveaux transistors, Intel poursuit son épopée dans le sillage sans fin de la loi de Moore et s'assure que le rythme des avancées technologiques attendues par les clients continue pour les années à venir.

Auparavant, les transistors, au cœur des microprocesseurs, étaient des composants 2D (planaires). Le transistor 3D tri-gate Intel® et la capacité de le fabriquer en grandes quantités marquent un tournant révolutionnaire dans la structure de base des puces informatiques. Découvrez l'histoire des transistors.

Cela signifie également qu'Intel conforte sa position de leader dans la fabrication de systèmes servant de base aux autres produits informatiques, qu'il s'agisse des plus grands supercalculateurs du monde ou d'appareils portables mobiles ultra-compacts.

Plus petit = plus performant

La taille et la structure d'un transistor constituent l'épicentre des avantages de la loi de Moore pour l'utilisateur final. Plus le transistor est petit et puissant, plus les performances sont importantes. Intel continue, de façon prévisible, à fournir une technologie de gravure qui prend de moins en moins de place et collectionne les premières mondiales : 45 nm sur hafnium et sans plomb en 2007 ; 32 nm en 2009 ; et aujourd'hui 22 nm avec le premier transistor 3D mondial pouvant être fabriqué en grandes quantités, dont la procédure logique a commencé en 2011.

Avec un transistor 3D plus compact, Intel peut concevoir des processeurs encore plus puissants tout en étant incroyablement économes en énergie. Cette nouvelle technologie permet de développer des microarchitectures et des conceptions de système monopuce (SoC) innovantes, ainsi que de nouveaux produits : des serveurs aux ordinateurs, en passant par les smartphones et autres solutions grand public novatrices.

Les transistors entrent dans la 3e dimension

Le transistor 3D tri-gate Intel® utilise trois portes disposées autour d'un canal en silicium au sein d'une structure en 3D, offrant une combinaison inédite de performances élevées et de consommation énergétique ultra-faible. Intel a conçu ce nouveau transistor pour mettre sur pied des appareils portables économes en énergie, comme des smartphones et des tablettes, capables de fournir des performances de pointe dignes des solutions embarquant des processeurs haut de gamme.

Un terrain propice à l'innovation

Les nouveaux transistors sont si efficaces à basse tension qu'ils permettent à l'équipe de conception des processeurs Intel® Atom™ de créer des approches architecturales inédites pour la microarchitecture Intel® Atom™ en 22 nm. Cette nouvelle conception permet de profiter pleinement de la technologie 3D tri-gate ultra-économe en énergie. Pour couronner le tout, les futurs produits SoC d'Intel, basés sur des transistors 3D tri-gate gravés en 22 nm, atteindront moins d'1 mW en veille, pour des SoC extrêmement économes en énergie.

Intel mène la danse, les utilisateurs savourent les performances

Commercialisées fin 2011, les puces de la 3e génération de processeurs Intel® Core™ ont été les premières à être fabriquées en grandes quantités et à utiliser des transistors 3D.

Intel conforte son rôle de leader dans le domaine des serveurs, des PC, des PC portables et des appareils portables équipés de la technologie de transistor 3D en 22 nm. Les particuliers et les entreprises peuvent s'attendre à des outils informatiques et des graphismes toujours plus rapides, ainsi qu'à une autonomie, dans de nombreux formats épurés.

 

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